- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/383 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
Détention brevets de la classe H01L 21/383
Brevets de cette classe: 53
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
17 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
7 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 35384 |
5 |
| Japan Display Inc. | 6202 |
3 |
| Intel Corporation | 45621 |
2 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
2 |
| Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 2483 |
2 |
| Toyota Motor Corporation | 28582 |
1 |
| Sharp Corporation | 10015 |
1 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
1 |
| Lam Research Corporation | 4775 |
1 |
| Bowling Green State University | 74 |
1 |
| National Chiao Tung University | 549 |
1 |
| OmniVision Technologies, Inc. | 1502 |
1 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited and National Chiao-Tung University | 1 |
1 |
| Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | 430 |
1 |
| Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | 3454 |
1 |
| Sharp Kabushiki Kaisha | 18957 |
1 |
| Fantasy Shine Limited | 17 |
1 |
| Trivale Technologies | 336 |
1 |
| Autres propriétaires | 2 |